Galyum Nitrür Pazarı

Pazar tanımı

Galyum nitrür (GAN), yüksek elektron hareketliliği ve termal stabilite ile bilinen geniş bir bant aralığı yarı iletken malzemesidir. Kompakt cihaz tasarımlarında verimli güç dönüşümünü ve yüksek frekanslı sinyal iletimini destekler.

Piyasanın kapsamı, elektrikli araçlar ve yenilenebilir enerji sistemleri için güç elektroniğini, 5G ağları için radyo frekans bileşenlerini, ışık yayan diyotları ve lazer diyotları kapsamaktadır. Elektronik üreticileri, otomotiv tedarikçileri ve telekom ekipmanı sağlayıcıları, enerji verimliliğini, sinyal performansını ve sistem minyatürleştirmesini artırmak için GAN kullanır.

Galyum Nitrür PazarıGenel bakış

Küresel galyum nitrür pazar büyüklüğü 2024'te 1.910.23 milyon ABD Doları olarak değerlendi ve 2025'te 2.154.47 milyon ABD Doları'ndan 2032 yılına kadar 5.509.08 milyon USD'ye yükselmesi öngörülüyor ve tahmin döneminde% 14.35'lik bir CAGR sergiliyor.

Piyasanın büyümesi, GAN'ın yüksek frekanslarda yüksek verimlilik ve performans sunduğu RF ve mikrodalga uygulamalarındaki artan talebin yönlendirilmesi ile yönlendirilir. Ayrıca, Gan-on-Silikon gibi yenilikler, otomotiv, yenilenebilir enerji ve veri merkezi uygulamaları için uygun maliyetli, yüksek performanslı güç cihazları sağlayarak benimsenmeyi artırıyor.

Anahtar önemli noktalar

1. Galyum nitrür endüstrisi büyüklüğü 2024'te 1.910.23 milyon dolardı.
2. Piyasanın 2025'ten 2032'ye kadar% 14,35'lik bir CAGR'de büyümesi bekleniyor.
3. Asya Pasifik, 2024'te 653.68 milyon ABD Doları değerinde% 34.22'lik bir pay aldı.
4. Gan-on-sic segmenti 2024 yılında 655,40 milyon ABD Doları gelir elde etti.
5. 125-150 mm segmentinin 2032 yılına kadar 2.542,66 milyon ABD dolarına ulaşması bekleniyor.
6. Güç elektroniği segmenti, 2024'te% 39,55'lik en büyük gelir payını elde etti.
7. Otomotiv segmenti, tahmin dönemi boyunca% 15,52'lik sağlam bir CAGR'de büyüyecek.
8. Kuzey Amerika'nın projeksiyon döneminde% 14.40 CAGR'de büyümesi bekleniyor.

Galyum nitrür endüstrisinde faaliyet gösteren büyük şirketler Innoscience, Verimli Power Dönüştürme Şirketi, Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, Stmicroelectronics, Texas Semiconductated, Navitas Semiconductor, Wolfspeed, Inc., Mitsubishi Chemical Corporation, ROHM Co., Mitsubishi Chemical Corporation, ROHM CO., Mitsubishi Kemici Grup, Mitsubishi Chemical Corporation, Rohm Co., LLC, Qorvo, Inc., Epistar Corporation ve Nichia Corporation.

Enerji tasarruflu güç elektroniği için artan talep, pazarın genişlemesini artırıyor. Gan tabanlı cihazlar, geleneksel silikon bileşenlerine kıyasla daha yüksek verimlilik ve daha hızlı anahtarlama hızları sağlar. Bu özellikler, tüketici elektroniği, telekomünikasyon, otomotiv ve tüketici elektroniği, telekomünikasyonlarda ve hızlı şarj cihazlarının kompakt güç kaynaklarının, yüksek frekanslı invertörlerin ve hızlı şarj cihazlarının geliştirilmesini desteklemektedir.endüstriyel otomasyon.

• Kasım 2024'te Infineon Technologies, Coolgan Transistors 650 V G5 serisi yüksek voltajlı GAN güç ayrıklarını başlattı. Bu transistörler anahtarlanmış mod güç kaynakları, USB-C şarj cihazları ve adaptörler, aydınlatma, TV'ler, telekom doğrultucuları, yenilenebilir enerji ve motor sürücüleri için tasarlanmıştır.

Ayrıca, akıllı telefonlarda, veri merkezlerinde ve 5G baz istasyonlarında güç kaybını azaltmaya odaklanmanın artan odaklanması GAN çözümlerine olan ihtiyacı vurgulamaktadır. Şirketler güvenilir yüksek performanslı yarı iletkenler aradıkça, piyasa genişlemesini destekleyen yenilenebilir enerji invertörlerinde ve elektrikli araç şarj cihazlarında benimsenme genişliyor.

Pazar şoförü

RF ve Mikrodalga Uygulamalarında Büyüme

Galyum nitrür pazarının büyümesi, radyo frekansında (RF) ve savunma, havacılık, telekomünikasyon ve endüstriyel otomasyondaki mikrodalga uygulamalarında artan evlat edinme ile yönlendirilmektedir. Gan’ın yüksek frekanslarda verimli bir şekilde çalışabilme yeteneği, askeri gözetim, hava trafik kontrolü ve hava izleme için gelişmiş radar sistemlerinde kullanımını destekliyor.

Uydu iletişiminde GAN amplifikatörlerinin artan konuşlandırılması, yayın, navigasyon ve geniş bant bağlantısı için kararlı sinyal iletimini sağlar. Kentsel ve kırsal ağlarda 5G baz istasyonlarının genişletilmesi, GAN bileşenlerinin yüksek çıkış gücü ve düşük sinyal bozulması elde etmek için güçlü bir talep yaratmaktadır.

• Mart 2025'te Mitsubishi Electric, 16W Gan Power Amplifikatör Modülünü 5G Massive Muazzam Girişli Çoklu Çıktı Baz İstasyonları için başlattı 3.6-4.0 GHz frekans bandında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. 32T32R MMIMO baz istasyonları için uygundur, daha düşük güç konfigürasyonlarına kıyasla daha az PAM gerektirerek güç tüketimini ve üretim maliyetlerini azaltır.

Piyasa Mücadelesi

Maddi kusurlar ve güvenilirlik sorunları

Galyum nitrür pazarının ilerlemesini engelleyen önemli bir zorluk, cihaz güvenilirliğini etkileyen maddi kusurları ele almaktır. Çıkma gibi kristal kusurlar verimliliği azaltır ve GAN bazlı bileşenlerin operasyonel ömrünü kısaltır. Isı dağılma zorlukları, özellikle elektrikli araç şarj cihazları gibi yüksek güçlü elektroniklerde ve 5G baz istasyonları ve radar gibi yüksek frekanslı sistemlerde performansı daha da sınırlar.

Bu zorluğu ele almak için pazar oyuncuları kristal büyüme tekniklerini geliştiriyor, substrat kalitesini artırıyor ve ileri düzeyde gelişiyortermal yönetimiÇözümler. Bu girişimler, cihaz dayanıklılığını güçlendirmek ve Galyum Nitrür teknolojisinin güç elektroniği ve RF uygulamalarında daha geniş benimsenmesini desteklemektedir.

• Ekim 2023'te Transphorm, Supergan üst tarafı soğutmalı Tolt Fet'i, TP65H070G4RS'yi piyasaya sürdü Bu, şirketin üst taraf soğutmasına sahip JEDEC-Standard Tolt paketindeki ilk standart GAN transistörüdür. Yüzeye monte edilebilir cihaz, karşılaştırılabilir termal performans, gelişmiş verimlilik ve geliştirilmiş üretilebilirlik sağlıyor.

Pazar trend

Gan-on-Silicon ve Gelişmiş Substrat Yeniliklerinin Geliştirilmesi

Galyum nitrür pazarını etkileyen önemli bir eğilim, güç ve RF cihazları için Gan-on-Silicon ve Gan-on-Silicon-karbür substratlarının benimsenmesidir. Bu gelişmiş gofretler üretim maliyetlerini düşürüyor ve büyük üretim hacimleri için daha yüksek ölçeklenebilirliği destekliyor. Geliştirilmiş termal iletkenlik ve kafes eşleşmesi, cihaz güvenilirliğini ve zorlu uygulamalardaki performansı arttırır.

Güç elektroniği, 5G altyapısı ve elektrikli araç sistemleri, daha iyi verimlilik ve kompakt tasarımlar elde etmek için bu substratları benimsiyor. Araştırma ve endüstriyel yatırımlar, geleneksel malzemelerden optimize edilmiş GAN platformlarına geçişi hızlandırıyor.

• Temmuz 2025'te Navitas Semiconductor, PSMC’nin 200 mm FAB 8B ve 180 nm CMOS proses düğümünden yararlanmak için Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) ile ortaklık kurdu. İşbirliği, 48 V altyapı, elektrikli araçlar, AI veri merkezleri ve yenilenebilir enerji sistemlerini içeren uygulamaları hedefleyen 100 V'dan 650 V'a kadar voltaj derecelendirmeleri üretmeyi amaçlamaktadır.

Galyum Nitrür Pazarı Raporu Anlık Görüntü

Segment	Detaylar
Türüne göre	Gan-on-Si, Gan-on-Sic, Gan-on-Sapphire, Gan-on-On-On-On-On-On-On-On
Gofret boyutuna göre	100 mm, 125-150 mm, 200 mm ve üstü
Uygulamaya göre	Güç Elektroniği, Tüketici Elektroniği, RF ve Mikrodalga Elektroniği, Optoelektronik
Dikey olarak	Otomotiv, Havacılık ve Savunma, Telekomünikasyon, Enerji ve Güç, Tüketici Cihazları, Sağlık Hizmetleri, Diğerleri
Bölgeye göre	Kuzey Amerika: ABD, Kanada, Meksika
	Avrupa: Fransa, İngiltere, İspanya, Almanya, İtalya, Rusya, Avrupa'nın geri kalanı
	Asya-Pasifik: Çin, Japonya, Hindistan, Avustralya, Asean, Güney Kore, Asya-Pasifik'in Geri Kalanı
	Orta Doğu ve Afrika: Türkiye, U.A.E., Suudi Arabistan, Güney Afrika, Orta Doğu ve Afrika'nın geri kalanı
	Güney Amerika: Brezilya, Arjantin, Güney Amerika'nın geri kalanı

Pazar segmentasyonu

• Türe göre (Gan-on-Si, Gan-on-Sic, Gan-on-Sapphire ve Gan-on-On-On-On-On-Sic segmenti, esas olarak üstün termal iletkenliği ve yüksek arıza voltajı nedeniyle 2024'te 655.40 milyon ABD Doları kazandı.
• Gofret büyüklüğü ile (100 mm'ye kadar, 125-150 mm ve 200 mm ve üstü): 125-150 mm segmenti, 2024 yılında% 41.65'lik bir pay aldı ve optimal üretim verimliliği ve maliyet etkinliği dengesi ile itildi.
• Uygulama ile (güç elektroniği, tüketici elektroniği, RF & mikrodalga elektroniği ve optoelektronik): Güç elektroniği segmentinin 2032 yılına kadar elektrikli araçlarda yaygın olarak benimsenmesi, yenilenebilir enerji sistemleri ve yüksek verimli güç dönüşüm uygulamaları nedeniyle 2.408.67 milyon ABD dolarına ulaşması öngörülmektedir.
• Dikey olarak (Otomotiv, Havacılık ve Savunma, Telekomünikasyon, Enerji ve Güç, Tüketici Cihazları, Sağlık Hizmetleri ve Diğerleri): Otomotiv segmenti, büyük ölçüde elektrikli ve artan elektrikli benimsenmesine atfedilen tahmin dönemi boyunca% 15,52'lik sağlam bir CAGR'de büyümeye ayarlanmıştır.hibrit araçlaryüksek verimli güç elektroniği, hızlı şarj sistemleri ve güvenilir GAN tabanlı bileşenler gerektiren.

Galyum Nitrür PazarıBölgesel analiz

Bölgeye dayanarak, pazar Kuzey Amerika, Avrupa, Asya Pasifik, Orta Doğu ve Afrika ve Güney Amerika olarak sınıflandırılmıştır.

Asya Pasifik Galyum Nitrür pazar payı, 2024'te 653.68 milyon dolar değerinde% 34.22 oldu. Bu hakimiyet, özellikle GAN gofretleri ve epitaksiyal katmanlar üreten tesislere, ileri yarı iletken üretimine güçlü yatırımlarla güçlendirilmiştir.

• Mayıs 2024'te Malezya hükümeti, entegre devre tasarım yeteneklerini artırma girişimlerini açıkladı,gelişmiş ambalajve yarı iletken çip üretim ekipmanı. Bu önlemler, ülkenin küresel bir yarı iletken üretim merkezi olarak konumunu yükseltmek için 107 milyar ABD Doları yatırım çekmeyi amaçlıyor. Son önemli yatırımlar arasında Intel'in 7 milyar dolarlık gelişmiş çip ambalaj tesisi ve Infineon'un 5,9 milyar dolarlık elektrikli çip tesisi genişlemesi yer alıyor.

Bölgesel dökümhaneler, güç dönüşümü ve RF sistemlerinde yüksek performanslı malzemelere olan artan talebi karşılama kapasitesini genişletiyor. Bölgedeki tüketici elektronik şirketleri, tutarlı bölgesel pazar genişlemesini destekleyen kompakt ve enerji tasarruflu şarj cihazları, ekranlar ve aydınlatma ürünleri için GAN malzemelerinin kullanımını artırıyor.

Kuzey Amerika galyum nitrür endüstrisi, ileri radar ve iletişim sistemlerine olan talebin artmasıyla, tahmin dönemi boyunca% 14,40'lık sağlam bir CAGR'de büyüyecek. Savunma yüklenicileri, yüksek güçlü, yüksek frekanslı GAN bileşenleri, sistemlerin aşırı koşullar altında daha verimli çalışmasını sağladığı için radar ve uydu iletişimindeki performansı artırmak için GAN tabanlı RF cihazlarını giderek daha fazla dahil ediyor.

Ayrıca, yeni nesil havacılık platformlarına yapılan yatırım, kritik uygulamalarda güvenilir GAN malzemelerine olan ihtiyacı artırıyor. Bu büyümeyi desteklemek için üreticiler, katı savunma standartlarını karşılamak için gofret kalitesini artırmaya ve üretimi ölçeklendirmeye odaklanarak zorlu ortamlarda hem performansı hem de güvenilirliği sağlıyorlar.

• Mayıs 2024'te Raytheon Technologies, ABD Füze Savunma Ajansı'na gelişmiş bir radar sistemi teslim etti. Galyum nitrür (GAN) teknolojisini içeren bu sistem, ülkenin hipersonik füzelere karşı savunma yeteneklerini geliştiriyor. Gan yarı iletkenlerin entegrasyonu, radarın hassasiyetini, menzilini ve elektronik parazite karşı direncini önemli ölçüde artırır.

Düzenleyici çerçeveler

• ABD'de, GAN malzemeleri ve cihazları, Sanayi ve Güvenlik Bürosu (BIS) tarafından yönetilen İhracat İdaresi Yönetmeliği (EAR) uyarınca ihracat kontrollerine tabidir. Belirli öğeler, 3C001, 3C005 ve 3C006 gibi dışa aktarma kontrol sınıflandırma numaraları (ECCN'ler) altında sınıflandırılır. Bu sınıflandırmalar, ihracatçıların özellikle endişe duyulan ülkelere ihracat yaparken lisans almasını ve son kullanıcı belgeleri sağlamasını gerektirir. Kulak, düşmanca askeri yetenekleri artırabilecek teknolojilerin çoğalmasını önlemeyi amaçlayan bu gereksinimleri özetlemektedir. Üreticiler ayrıca emisyonları ve atık su deşarjlarını yöneten Temiz Hava Yasası ve Temiz Su Yasası gibi çevre düzenlemelerine de uymalıdır.
• Çin'de, Ticaret Bakanlığı (MOFCOM), 2021'den beri geçerli olan Çin Halk Cumhuriyeti İhracat Kontrol Yasası uyarınca GAN materyallerini ve cihazlarını düzenler. İhracatçılar, Çin'in ihracat kontrol listelerindeki ürünler için lisans sağlamalı ve son kullanıcı belgeleri sağlamalıdır.
• Japonya'da, GAN materyalleri ve cihazları, Ekonomi, Ticaret ve Sanayi Bakanlığı (METI) tarafından yönetilen ihracat ticaret kontrol emrine tabidir. Sipariş, GAN ile ilgili ekipman ve teknolojiler de dahil olmak üzere ihracat onayı gerektiren öğeleri listeler. İhracatçıların ihracattan önce METI'den onay alması gerekir.
• Hindistan'da, GAN malzemeleri ve cihazlar üzerindeki ihracat kontrolleri, Dış Ticaret Genel Müdürlüğü (DGFT) tarafından sürdürülen özel kimyasallar, organizmalar, malzeme, ekipman ve teknolojiler (SComet) listesi altında uygulanmaktadır. İhracatçılar, listelenen öğeleri dışa aktarmadan önce lisansları güvence altına almalı ve son kullanıcı belgeleri sağlamalıdır.

Rekabetçi manzara

Galyum nitrür endüstrisindeki büyük oyuncular, artan araştırma ve geliştirme, stratejik ortaklıklar ve rekabetçi kalmak için teknolojik gelişmeler gibi stratejiler benimsiyor. Şirketler, otomotiv, yenilenebilir enerji ve veri merkezi uygulamalarındaki artan talebi karşılamak için GAN bileşenlerinin verimliliğini, güvenilirliğini ve entegrasyonunu artırmaya odaklanmaktadır.

Diğer teknoloji sağlayıcıları ile işbirliği daha hızlı inovasyon sağlar ve yeni ürünlerin tanıtımını hızlandırır. Yeni nesil IC tasarımlarına ve ambalaj teknolojilerine yapılan yatırım, daha yüksek güç yoğunluğu ve termal performans sağlar. Firmalar ayrıca kalite standartlarını korurken çıktıyı artırmak için üretim yeteneklerini genişletiyor.

• Nisan 2025'te Navitas Semiconductor, izole edilmiş izole kapı sürücülerine sahip 650V iki yönlü ganfast IC'leri tanıttı. Bu otomotiv nitelikli IC'ler (AEC-Q100/Q101) EV şarjı (yerleşik ve yol kenarı), güneş içicileri, enerji depolama, motor sürücüler ve AI veri merkezleri güç kaynakları için tasarlanmıştır.

Galyum Nitrür pazarındaki kilit şirketler:

• Doğuştan kaçış
• Verimli Güç Dönüştürme Şirketi
• Infineon Technologies AG
• NXP Yarıiletkenler
• Stmikroelektronik
• Texas Instruments Incorporated
• Renesas Electronics Corporation.
• Navitas yarı iletken
• Wolfspeed, Inc.
• Mitsubishi Chemical Group Corporation.
• Rohm Co., Ltd.
• Semiconductor Components Industries, LLC
• Qorvo, Inc.
• Epistar Corporation
• Nichia Corporation

Son gelişmeler (M&A/Sözleşmesi/Ürün Lansmanları)

• Temmuz 2025'te, Renesas Electronics, Multi-kW AI veri merkezleri, EV şarjı, pil enerjisi depolama, güneş enerjisi sistemleri ve güç sistemleri için Gen IV Plus 650V GAN FET'lerini tanıttı. Supergan platformu üzerine inşa edilen cihazlar, birden fazla paket seçeneği sunar ve düşük anahtarlama kayıplarıyla yüksek voltaj, yüksek güç uygulamalarını hedefler.
• Mart 2025'te, Stmicroelectronics ve Innoscience, galyum nitrür (GAN) güç teknolojisini ilerletmek için ortak bir geliştirme anlaşması imzaladı. Bu işbirliği, yapay zeka veri merkezleri, yenilenebilir enerji sistemleri ve elektrikli araçlar gibi uygulamalar için Gan güç çözümlerini geliştirmeyi amaçlamaktadır.
• Mart 2025'te, Texas Instruments, veri merkezi uygulamaları için yeni entegre GAN güç aşamaları ve 48V HOT-SWAP EFUSE (TPS1685) başlattı. Entegre Gan güç aşamaları, bir kapı sürücüsünü ve GAN FET'i ücretli paketlerde birleştirerek, özellikle sunucu güç yönetiminde güç kaynakları için verimliliği ve güç yoğunluğunu artırır.
• Haziran 2024'te, Renesas Electronics Corporation, Geniş Bandgap (WBG) teknolojilerindeki yeteneklerini güçlendirmek için Transphorm Inc.'i satın aldı ve şirketi enerji tasarruflu güç çözümlerine olan artan talebi ele almak için konumlandırdı. Satın alma, Transphorm'un elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji sistemleri ve veri merkezlerindeki uygulamalar için çok önemli olan GAN tabanlı güç ürünleri ve referans tasarımları portföyünü içerir.