차세대 메모리 시장

시장 정의

NGM (Next Generation Memory)은 NAND Flash 및 DRAM과 같은 기존 메모리 솔루션의 한계를 극복하기 위해 개발 된 고급 메모리 기술 클래스를 나타냅니다.

MAGENETORESTIVE RAM (MRAM), RERAM (Resistive RAM), PCM (Phase-Change Memory) 및 FRAM (Ferroelectric RAM)을 포함한 이러한 혁신적인 기술은 우수한 성능, 더 높은 내구성, 더 빠른 처리 속도 및 더 낮은 전력 소비를 제공하도록 설계되었으며 비 규율을 제공하도록 설계되었습니다.

NGM은 인공 지능 (AI), 빅 데이터 분석, 클라우드 컴퓨팅 및 자율 시스템과 같은 최신 컴퓨팅 요구에 적합한 향상된 기능을 제공합니다.

차세대 메모리 시장개요

글로벌 차세대 메모리 시장 규모는 2024 년에 689 억 달러로 평가되었으며 2025 년 8,250 억 달러에서 2032 년까지 29.68 억 달러로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 19.98%의 CAGR을 나타냅니다.

NGM이 더 빠른 데이터 처리, 대기 시간 감소 및 전력 효율 향상을 제공함에 따라 차세대 메모리의 채택은 AI 및 IoT 장치에서 가속화되고 있습니다. 이 메모리 솔루션은 지속적인 학습을 지원하고 예측 분석을 향상 시키며 IoT 네트워크 및 AI 중심 플랫폼에 중요한 소형 저전력 환경에서 지속적인 데이터 저장을 제공합니다.

주요 시장 하이라이트 :

1. 차세대 메모리 산업은 2024 년에 68 억 8 천만 달러로 기록되었습니다.
2. 시장은 2025 년에서 2032 년까지 19.98%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
3. 아시아 태평양은 2024 년에 33.49%의 시장 점유율을 기록했으며, 이는 23 억 3 천만 달러로 가치가 있습니다.
4. 휘발성 세그먼트는 2024 년에 428 억 달러의 매출을 기록했습니다.
5. 300mm 세그먼트는 2032 년까지 17.51 ​​억 달러에이를 것으로 예상됩니다.
6. 자동차 부문은 예측 기간 동안 20.01%의 상당한 CAGR을 목격 할 것으로 예상됩니다.
7. 북미는 투영 기간 동안 20.20%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.

차세대 메모리 시장에서 운영되는 주요 회사는 Infineon Technologies AG, Fujitsu, Samsung, Micron 기술, Inc., SK Hynix Inc., Stmicroelectronics, Toshiba Corporation, Everspin Technologies Inc., Intel Corporation, Kioxia Corporation, Microchip Technology Inc., Crossbar, Inc., Sandwell Corporation, 및 Honeynwell Corporation, 및 Honeynwell Corporation 및입니다.

항공 우주 부문에서 차세대 메모리가 점점 더 채택되어 고급 데이터 저장, 신뢰성 및 미션 크리티컬 애플리케이션의 지구력에 대한 수요가 증가하고 있습니다. MRAM 및 RERAM과 같은 기술은 고속 처리, 방사선 저항성 및 비 변동성을 제공합니다.

이러한 기능은 항공 전자, 위성 시스템 및 우주 탐사 장비에 적합합니다. 전통적인 메모리는 가혹한 환경 조건에서 종종 실패합니다.

이 확장 응용 프로그램은 방어 조직 및 상업 항공 우주 회사에서 차세대 메모리에 대한 수요를 주도하고 있으며, 전력 항공기, 무인 항공 차량 및 차세대 위성에 대한 신뢰할 수 있고 고성능 메모리 솔루션을 찾는 상업용 항공 우주 회사.

• 2025 년 2 월, Everspin Technologies, Inc.는 Lattice Radiant Software Suite를 통해 모든 격자 반도체 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이 (FPGA)에 걸쳐 구성을위한 Persyst MRAM의 검증을 발표했습니다. 이 협력은 산업, 항공 우주, 군사 및 자동차 부문의 미션 크리티컬 응용에 대한 MRAM의 신뢰성을 강조합니다.

시장 드라이버

자율 주행 차량 및 ADA에서 고급 메모리 사용 증가

시장은 자율 주행 차량 및 ADAS (Advanced Driver-Assistance Systems)에서의 사용이 증가함에 따라 강력한 성장을 목격하고 있습니다. 이러한 기술은 실시간 데이터 처리, 낮은 대기 시간 및 효율적인 전력 사용을 요구하여 객체 감지, 내비게이션 및 예측 분석과 같은 중요한 응용 프로그램을 지원합니다.

MRAM, PCM 및 RERAM과 같은 고급 메모리 솔루션은 자동차 전자 제품에 통합되어 지속적인 작동 하에서 내구성을 유지하면서 처리 전력을 향상시킵니다.

• 2025 년 4 월, Stmicroelectronics는 스텔라 자동차 마이크로 컨트롤러 내에서 고급 내장 메모리 인 Xmemory를 사용하여 Stellar를 시작하여 소프트웨어 정의 차량 개발을 간소화하고 발전하는 전기화 플랫폼을 지원하여 차세대 자동차 애플리케이션에 대한 향상된 성능, 확장 성 및 효율성을 가능하게합니다.

시장 도전

대규모 채택을 방해하는 높은 제조 비용 및 복잡한 생산 공정

차세대 메모리 시장이 직면 한 주요 과제 중 하나는 이러한 고급 기술을 제조하는 것과 관련된 높은 비용과 복잡성입니다.

성숙한 생산 생태계의 혜택을받는 기존 DRAM 및 NAND와 달리 MRAM, RERAM 및 PCM과 같은 새로운 메모리 유형은 특수 재료, 장비 및 프로세스 제어가 필요하므로 개발 및 생산 비용이 크게 증가합니다.

또한 정밀 제조 및 테스트의 필요성은 확장성에 대한 장벽을 높여 전통적인 메모리에 비해 광범위한 채택을 제한하고 가격을 더 높게 유지합니다. 많은 제조업체의 경우,이 과제는 상업화가 느려지고 특히 비용에 민감한 소비자 전자 제품에서 빠른 시장 침투 가능성을 방해합니다.

이 과제를 극복하기 위해 제조업체는 고급 제조 기술에 투자하고 200mm 및 300mm 웨이퍼 시설을 활용하고 전략적 파트너십을 형성하며 조종사 생산 라인을 확장하여 비용을 줄이고 수익률을 높이며 차세대 메모리 기술의 상용화를 가속화하고 있습니다.

시장 동향

고성능 컴퓨팅 애플리케이션을위한 MRAM 및 RERAM의 채택 증가

고성능 컴퓨팅 (HPC) 환경은 인공 지능, 시뮬레이션 및 빅 데이터 분석과 같은 대규모 데이터 세트 및 전력 워크로드를 처리하기 위해 매우 빠르고 신뢰할 수 있으며 에너지 효율적인 메모리를 필요로합니다. MRAM과 RERAM은 비변자, 낮은 대기 시간 및 탁월한 지구력으로 인해이 공간에서 상당한 견인력을 얻고 있습니다.

이러한 메모리 기술을 사용하면 에너지 소비를 최소화하면서 중요한 데이터 세트에 더 빠르게 액세스 할 수있어 슈퍼 컴퓨터, 연구 기관 및 클라우드 데이터 센터에 적합합니다.

• 2024 년 4 월, Everspin Technologies는 IBM이 FlashCore 모듈 4에 대한 Persyst EMD4E001G 1GB STT-MRAM을 선택하여 데이터 무결성, 높은 대역폭 및 비 변동성과 같은 기능을 인용한다고 발표했습니다. 협업은 엔터프라이즈 스토리지 응용 프로그램에서 STT-MRAM의 채택이 증가 함을 반영합니다.

차세대 메모리 시장 보고서 스냅 샷

분할	세부
기술 별	휘발성 물질,,,비 휘발성
웨이퍼 크기로	200 mm, 300 mm
응용 프로그램에 의해	소비자 전자, 자동차, 산업 자동화, 정부, IT 및 통신, 항공 우주 및 방어, 의료, 기타
지역별	북아메리카: 미국, 캐나다, 멕시코
	유럽: 프랑스, ​​영국, 스페인, 독일, 이탈리아, 러시아, 나머지 유럽
	아시아 태평양: 중국, 일본, 인도, 호주, 아세안, 한국, 나머지 아시아 태평양
	중동 및 아프리카: 터키, 미국, 사우디 아라비아, 남아프리카, 중동 및 아프리카의 나머지
	남아메리카: 브라질, 아르헨티나, 남아메리카의 나머지

시장 세분화 :

• 기술 (휘발성 및 비 휘발성) : 휘발성 세그먼트는 2024 년에 시장의 62.15%를 보유하고 있으며, 이는 높은 범위 및 저하 메모리가 중요한 컴퓨팅, 스마트 폰 및 데이터 센터에 대한 DRAM 및 SRAM에 대한 광범위한 의존으로 인해 시장의 62.15%를 보유하고 있습니다.
• 웨이퍼 크기 (200 mm 및 300 mm) : 차세대 메모리 기술의 비용 효율적인 반도체 제조에 대한 수요가 증가함에 따라 200mm 세그먼트는 예측 기간 동안 20.34%의 CAGR에서 증가 할 것으로 예상됩니다.
• 응용 프로그램 (소비자 전자, 자동차, 산업 자동화, 정부, IT 및 통신, 항공 우주 및 방어, 의료 및 기타) : 소비자 전자 세그먼트는 2032 년까지 683 억 달러에 도달 할 것으로 예상되며, 스마트 폰스의 에너지 효율적, 고성능 메모리에 대한 수요가 증가함에 따라.웨어러블, 태블릿 및 게임 장치.

차세대 메모리 시장지역 분석

지역을 기반으로 세계 시장은 북미, 유럽, 아시아 태평양, 중동 및 아프리카 및 남미로 분류되었습니다.

아시아 태평양 차세대 메모리 시장은 2024 년 세계 시장에서 33.49%, 반도체 생태계 에서이 지역의 중추적 인 역할을 반영하여 23 억 3 천만 달러의 평가를 받았습니다.

중국, 한국, 일본 및 대만과 같은 국가는 메모리 제조를 지배하고 R & D, DRAM, NAND 및 MRAM 및 RERAM과 같은 신흥 메모리 기술의 대규모 리더로 자리 매김했습니다. 이 지역은 상당한 정부 지원, 제조 시설 확대 및 소비자 전자, 데이터 센터 및 자동차 부문에 대한 강력한 수요로부터 이익을 얻습니다.

AI, IoT 및 5G 지원 장치의 채택이 증가하면 차세대 메모리 통합이 추가로 가속화됩니다. 또한, 차세대 메모리 솔루션을 적극적으로 출시하는 삼성, SK 하이닉스 및 쿨과 같은 주요 선수들이 아시아 태평양을 가로 질러 Maket을 주도하고 있습니다.

북미는 예측 기간 동안 20.20%의 강력한 CAGR에서 크게 성장할 준비가되어 있습니다. 이러한 성장은 주로 AI, 빅 데이터 분석 및 클라우드 컴퓨팅의 고급 메모리 솔루션을 빠르게 채택함으로써 특히 미국에 위치한 대형 hyperscale 데이터 센터에서 연료를 공급합니다.

또한이 지역은 R & D에 대한 강력한 투자, 반도체 회사와 기술 거대 기업 간의 협력, 방어, 항공 우주 및 자율 주행 차와 같은 부문의 메모리 기술의 초기 채택으로부터 이익을 얻습니다. Micron Technology, IBM 및 신흥 스타트 업과 같은 주요 혁신가의 존재는 MRAM, RERAM 및 PCM의 발전을 더욱 이끌어냅니다.

• 2025 년 8 월, Sandisk Corporation은 SK Hynix와 전략적 MOU에 서명하여 AI 추론 성능 향상을 목표로하는 차세대 메모리 기술인 High Blandwidth Flash를 공동 개발했습니다.

규제 프레임 워크

• 미국에서, 칩 및 과학 법은 반도체 제조 및 혁신을 규제합니다. 국내 칩 생산을 늘리고 AI, 방어 및 고급 컴퓨팅에 중요한 차세대 메모리 기술을위한 연구 및 개발을 촉진하기위한 자금 및 인센티브를 제공합니다.
• 유럽 ​​연합에서, EU Chips Act는 반도체 용량 구축 및 공급망 탄력성을 규제합니다. 유럽의 기술 주권을 향상시키고, 지역 경쟁력을 강화하고 외부 공급 업체에 대한 의존도를 줄이기 위해 차세대 메모리에 대한 투자를 지원하는 것을 목표로합니다.
• 중국에서국가 통합 순회 산업 개발 지침은 반도체 산업 개발을 규제합니다. 대규모 투자, 인프라 확장 및 인재 재배의 우선 순위를 정해 MRAM 및 RERAM과 같은 차세대 메모리 기술의 강력한 국내 진전을 보장합니다.
• 일본에서, 반도체 전략 촉진 지침은 기술 발전 및 산업 경쟁력을 규제합니다.
• 한국에서, K- 세미 컨덕터 벨트 전략은 반도체 클러스터 개발을 조절합니다.

경쟁 환경

차세대 메모리 시장의 주요 업체는 경쟁력있는 위치를 강화하고 성장 기회를 포착하기위한 다방면 전략을 추구하고 있습니다. 시장 플레이어는 MRAM, RERAM 및 PHASE-Change 메모리와 같은 고급 기술의 상용화를 가속화하여 확장 성, 내구성 및 전력 효율성을 향상시키기 위해 연구 개발 (R & D)에 중점을두고 있습니다.

전략적 협업 및 파트너십은 반도체 파운드리, 클라우드 서비스 제공 업체 및 자동차 기술 회사와 함께 데이터 센터, AI, IoT 및 자율 주행 차량의 애플리케이션을 확장하고 있습니다.

• 2023 년 10 월, Everspin Technologies, Inc.는 EMXXLX STT-MRAM 제품 패밀리를 확장하여 데이터 지속성, 낮은 대기 시간, 에너지 효율 및 보안이 필요한 응용 프로그램을 대상으로합니다. 이 솔루션은 산업 IoT, 엔터프라이즈 인프라, 자동화, 항공 우주, 의료, 게임 및 FPGA 구성을 위해 설계되어 시장에서의 위치를 ​​강화합니다.

차세대 메모리 시장의 최고 회사 :

• Infineon Technologies AG
• 후지츠
• 삼성
• Micron Technology, Inc.
• SK Hynix Inc.
• stmicroelectronics
• Toshiba Corporation
• Everspin Technologies Inc.
• 인텔 코퍼레이션
• KIOXIA CORPORATION
• Microchip Technology Inc.
• Crossbar, Inc.
• Renesas Electronics Corporation
• Sandisk Corporation
• Honeywell International Inc.

최근 개발 (시작)

• 2025 년 6 월, SK Hynix는 Computex Taipei 2025에서 AI 서버, PC 및 모바일 장치를위한 고급 차세대 메모리 솔루션을 선보였습니다.
• 2025 년 2 월Kioxia Corporation과 Sandisk Corporation은 고급 3D 플래시 메모리 기술을 도입하여 4.8GB/S NAND 인터페이스 속도, 강화 된 전력 효율 및 더 높은 밀도를 달성했습니다. 그들은 새로운 CMO를 기존 메모리 셀 기술과 통합하여 자본 효율성, 고성능 및 저전력 차세대 메모리 솔루션을 제공하는 것을 목표로합니다.